SI4931DY-T1-GE3 - MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
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MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
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Technische Daten für SI4931DY-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI4931DY-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 350µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI4931DY-T1-GE3
Datenblätter : SI4931DY-T1-GE3.pdf
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