IRFH5301TR2PBF - MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN

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Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
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Technische Daten für IRFH5301TR2PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFH5301TR2PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 35A 5X6 PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 35A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.85 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5114pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PQFN (5x6) Single Die
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IRFH , IRFH530

Dokumente für IRFH5301TR2PBF

Datenblätter : IRFH5301TR2PBF.pdf

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