RFN10NS6STL - DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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USD 0.414
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Technische Daten für RFN10NS6STL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RFN10NS6STL
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.55V @ 10A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : LPDS
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RFN10NS6STL

Datenblätter : RFN10NS6STL.pdf

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