BSZ0901NSATMA1 - MOSFET N-CH 30V S308

Hersteller Teilenummer

BSZ0901NSATMA1

Interne Teilenummer

AX-BSZ0901NSATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 30V S308

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

983440 Pieces

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Technische Daten für BSZ0901NSATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSZ0901NSATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 30V S308

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 22A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2850pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 50W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TSDSON-8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSZ0 , BSZ0901

Dokumente für BSZ0901NSATMA1

Datenblätter : BSZ0901NSATMA1.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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WZ135285WP50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV.
PZ0140WL10138CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 16KV DISK.