IXTA1R6N100D2 - MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK

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MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
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Technische Daten für IXTA1R6N100D2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IXTA1R6N100D2
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-263 (IXTA)
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : IXTA1R6N100D2.pdf

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