IRFIBE30GPBF - MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

Hersteller Teilenummer

IRFIBE30GPBF

Interne Teilenummer

AX-IRFIBE30GPBF

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

151815 Pieces

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Technische Daten für IRFIBE30GPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFIBE30GPBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 35W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRFIBE30GPBF

Datenblätter : IRFIBE30GPBF.pdf

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