NTH027N65S3F_F155 - MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P
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MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P
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Technische Daten für NTH027N65S3F_F155
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NTH027N65S3F_F155
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P
Serie : FRFET®, SuperFET® II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27.4 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 7.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 259nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7690pF @ 400V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 595W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247-3
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für NTH027N65S3F_F155
Datenblätter : NTH027N65S3F_F155.pdf
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