RQ3E180AJTB - MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-RQ3E180AJTB
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1153725 Pieces
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Technische Daten für RQ3E180AJTB
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
RQ3E180AJTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 11mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4290pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für RQ3E180AJTB
Datenblätter :
RQ3E180AJTB.pdf
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