H11F3VM - OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

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Kurze Beschreibung
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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USD 0.8712
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Technische Daten für H11F3VM

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : H11F3VM
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
Serie : -
Teilestatus : Active
Anzahl der Kanäle : 1
Spannung - Isolation : 7500Vpk
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) : -
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) : -
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) : 45µs, 45µs (Max)
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) : -
Eingabetyp : DC
Ausgabetyp : MOSFET
Spannung - Ausgang (max.) : 15V
Strom - Ausgang / Kanal : -
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) : 1.3V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) : 60mA
Vce-Sättigung (max.) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 100°C
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : 6-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package : 6-DIP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für H11F3VM

Datenblätter : H11F3VM.pdf

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