SIA477EDJT-T1-GE3 - MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Hersteller Teilenummer

SIA477EDJT-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SIA477EDJT-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2490975 Pieces

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Technische Daten für SIA477EDJT-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SIA477EDJT-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Serie : TrenchFET® Gen III

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3050pF @ 6V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 19W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerPAK® SC-70-6 Single

Paket / fall : PowerPAK® SC-70-6

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SIA477EDJT-T1-GE3

Datenblätter : SIA477EDJT-T1-GE3.pdf

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