2SK2845(TE16L1,Q) - MOSFET N-CH 900V 1A DP

Hersteller Teilenummer

2SK2845(TE16L1,Q)

Interne Teilenummer

AX-2SK2845(TE16L1,Q)

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 900V 1A DP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

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Technische Daten für 2SK2845(TE16L1,Q)

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2SK2845(TE16L1,Q)

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 1A DP

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 40W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DP

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für 2SK2845(TE16L1,Q)

Datenblätter : 2SK2845(TE16L1,Q).pdf

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