D850N36TXPSA1 - DIODE GEN PURP 3.6KV 850A
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 3.6KV 850A
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für D850N36TXPSA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : D850N36TXPSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 3.6KV 850A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 3600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 850A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.28V @ 850A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 50mA @ 3600V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : DO-200AB, B-PUK
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 160°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für D850N36TXPSA1
Datenblätter : D850N36TXPSA1.pdf
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