IXTA1R6N100D2HV - MOSFET N-CH

Hersteller Teilenummer

IXTA1R6N100D2HV

Interne Teilenummer

AX-IXTA1R6N100D2HV

Hersteller

IXYS

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

180705 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für IXTA1R6N100D2HV

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IXTA1R6N100D2HV

Hersteller : IXYS

Beschreibung : MOSFET N-CH

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 1.6A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 645pF @ 10V

FET-Funktion : Depletion Mode

Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-263HV

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IXTA1 , IXTA1R6

Dokumente für IXTA1R6N100D2HV

Datenblätter : IXTA1R6N100D2HV.pdf

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