BSP300 E6327 - MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223

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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
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Technische Daten für BSP300 E6327

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : BSP300 E6327
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 190mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-SOT223-4
Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für BSP300 E6327

Datenblätter : BSP300 E6327.pdf

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