IRF1405ZS-7P - MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

Hersteller Teilenummer

IRF1405ZS-7P

Interne Teilenummer

AX-IRF1405ZS-7P

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

67340 Pieces

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Technische Daten für IRF1405ZS-7P

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF1405ZS-7P

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.9 mOhm @ 88A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 150µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 230nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5360pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 230W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK (7-Lead)

Paket / fall : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRF1405ZS-7P

Datenblätter : IRF1405ZS-7P.pdf

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