DTD113ZUT106 - TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

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TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für DTD113ZUT106

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DTD113ZUT106
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 82 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500nA
Frequenz - Übergang : 200MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-70, SOT-323
Supplier Device Package : UMT3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DTD1 , DTD113

Dokumente für DTD113ZUT106

Datenblätter : DTD113ZUT106.pdf

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