IPI80N06S3L-08 - MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

Hersteller Teilenummer

IPI80N06S3L-08

Interne Teilenummer

AX-IPI80N06S3L-08

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9062 Pieces

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Technische Daten für IPI80N06S3L-08

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI80N06S3L-08

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 80A TO-262

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.9 mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 55µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 134nC @ 10V

Vgs (Max) : ±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 6475pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 105W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPI8 , IPI80N0

Dokumente für IPI80N06S3L-08

Datenblätter : IPI80N06S3L-08.pdf

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