SIS903DN-T1-GE3 - MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
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Kurze Beschreibung
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
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Technische Daten für SIS903DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIS903DN-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Serie : TrenchFET® Gen III
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2565pF @ 10V
Leistung max : 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : PowerPAK® 1212-8 Dual
Supplier Device Package : PowerPAK® 1212-8 Dual
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIS903DN-T1-GE3
Datenblätter : SIS903DN-T1-GE3.pdf
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