PMDPB30XN,115 - MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für PMDPB30XN,115
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMDPB30XN,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21.7nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 10V
Leistung max : 490mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package : 6-HUSON-EP (2x2)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PMDPB30XN,115
Datenblätter : PMDPB30XN,115.pdf
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