DMT10H010SPS-13 - MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Hersteller Teilenummer

DMT10H010SPS-13

Interne Teilenummer

AX-DMT10H010SPS-13

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

790405 Pieces

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Technische Daten für DMT10H010SPS-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMT10H010SPS-13

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.7A (Ta), 113A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56.4nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4.468nF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.2W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PowerDI5060-8

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMT10 , DMT10H0

Dokumente für DMT10H010SPS-13

Datenblätter : DMT10H010SPS-13.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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