W947D6HBHX5E TR - IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für W947D6HBHX5E TR
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : W947D6HBHX5E TR
Hersteller : Winbond Electronics
Beschreibung : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße : 128Mb (8M x 16)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 60-TFBGA
Supplier Device Package : 60-VFBGA (8x9)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für W947D6HBHX5E TR
Datenblätter : W947D6HBHX5E TR.pdf
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