FDY301NZ_G - MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89

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MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
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Technische Daten für FDY301NZ_G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDY301NZ_G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 200MA SC-89
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 200mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 60pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 625mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-89-3
Paket / fall : SC-89, SOT-490
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für FDY301NZ_G

Datenblätter : FDY301NZ_G.pdf

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