VS-GT400TH60N - IGBT 600V 530A 1600W DIAP
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Kurze Beschreibung
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für VS-GT400TH60N
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : VS-GT400TH60N
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench
Aufbau : Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 530A
Leistung max : 1600W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.05V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 30.8nF @ 30V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Double INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package : Double INT-A-PAK
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für VS-GT400TH60N
Datenblätter : VS-GT400TH60N.pdf
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