VS-GT400TH60N - IGBT 600V 530A 1600W DIAP
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Hersteller
Kurze Beschreibung
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9084 Pieces
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Technische Daten für VS-GT400TH60N
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
VS-GT400TH60N
Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
530A
Leistung max :
1600W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.05V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
30.8nF @ 30V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Supplier Device Package :
Double INT-A-PAK
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für VS-GT400TH60N
Datenblätter :
VS-GT400TH60N.pdf
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