FDMS4D4N08C - MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN

Hersteller Teilenummer

FDMS4D4N08C

Interne Teilenummer

AX-FDMS4D4N08C

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

315670 Pieces

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Technische Daten für FDMS4D4N08C

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FDMS4D4N08C

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN

Serie : PowerTrench®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 123A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.3 mOhm @ 44A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4090pF @ 40V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-PQFN (5x6), Power56

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FDMS4D4N08C

Datenblätter : FDMS4D4N08C.pdf

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