STP11NM60ND - MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Hersteller Teilenummer

STP11NM60ND

Interne Teilenummer

AX-STP11NM60ND

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

120515 Pieces

Referenzpreis

~~USD 2.328~~

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Technische Daten für STP11NM60ND

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STP11NM60ND

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

Serie : FDmesh™ II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 850pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 90W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : STP11NM60ND.pdf

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