SIRA20DP-T1-RE3 - MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8

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MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIRA20DP-T1-RE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIRA20DP-T1-RE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 81.7A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.58 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (Max) : +16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10850pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerPAK® SO-8
Paket / fall : PowerPAK® SO-8
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SIRA20DP-T1-RE3

Datenblätter : SIRA20DP-T1-RE3.pdf

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