SUP60N10-18P-E3 - MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Hersteller Teilenummer

SUP60N10-18P-E3

Interne Teilenummer

AX-SUP60N10-18P-E3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

12048 Pieces

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Technische Daten für SUP60N10-18P-E3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SUP60N10-18P-E3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.3 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.75W (Ta), 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für SUP60N10-18P-E3

Datenblätter : SUP60N10-18P-E3.pdf

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