RT1A060APTR - MOSFET P-CH 12V 6A TSST8

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MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RT1A060APTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RT1A060APTR
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7800pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 600mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-TSST
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RT1A060APTR

Datenblätter : RT1A060APTR.pdf

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