BSZ0910NDXTMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS

Hersteller Teilenummer

BSZ0910NDXTMA1

Interne Teilenummer

AX-BSZ0910NDXTMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

DIFFERENTIATED MOSFETS

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

859425 Pieces

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Technische Daten für BSZ0910NDXTMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSZ0910NDXTMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : DIFFERENTIATED MOSFETS

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion : Logic Level Gate, 4.5V Drive

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.5A (Ta), 25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 800pF @ 15V

Leistung max : 1.9W (Ta), 31W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Supplier Device Package : PG-WISON-8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSZ0 , BSZ0910

Dokumente für BSZ0910NDXTMA1

Datenblätter : BSZ0910NDXTMA1.pdf

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