BSZ0910NDXTMA1 - DIFFERENTIATED MOSFETS
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIFFERENTIATED MOSFETS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
859425 Pieces
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Technische Daten für BSZ0910NDXTMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSZ0910NDXTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIFFERENTIATED MOSFETS
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
5.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
800pF @ 15V
Leistung max :
1.9W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-WISON-8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSZ0910NDXTMA1
Datenblätter :
BSZ0910NDXTMA1.pdf
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