AUIRF9952QTR - MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO

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MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
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Technische Daten für AUIRF9952QTR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : AUIRF9952QTR
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 190pF @ 15V
Leistung max : 2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für AUIRF9952QTR

Datenblätter : AUIRF9952QTR.pdf

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