HS3J M6G - DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-HS3J M6G
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
4865835 Pieces
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Technische Daten für HS3J M6G
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : HS3J M6G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-214AB, SMC
Supplier Device Package : DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für HS3J M6G
Datenblätter : HS3J M6G.pdf
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