IPI023NE7N3 G - MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
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Technische Daten für IPI023NE7N3 G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPI023NE7N3 G
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 273µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 37.5V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO262-3
Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : IPI0 , IPI023

Dokumente für IPI023NE7N3 G

Datenblätter : IPI023NE7N3 G.pdf

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