IPI023NE7N3 G - MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Hersteller Teilenummer

IPI023NE7N3 G

Interne Teilenummer

AX-IPI023NE7N3 G

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

9936 Pieces

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Technische Daten für IPI023NE7N3 G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI023NE7N3 G

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 75V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 273µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V

Vgs (Max) : -

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 14400pF @ 37.5V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPI0 , IPI023

Dokumente für IPI023NE7N3 G

Datenblätter : IPI023NE7N3 G.pdf

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