SE30AFJHM3J/6A - DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC
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Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für SE30AFJHM3J/6A
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SE30AFJHM3J/6A
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC
Serie : Automotive, AEC-Q101, PAR®, SlimSMA™
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 3A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 1.5µs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 19pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-221AC, SMA Flat Leads
Supplier Device Package : DO-221AC (SlimSMA)
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 175°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SE30AFJHM3J/6A
Datenblätter : SE30AFJHM3J/6A.pdf
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