DMN1019USN-7 - MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Hersteller Teilenummer

DMN1019USN-7

Interne Teilenummer

AX-DMN1019USN-7

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für DMN1019USN-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DMN1019USN-7

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9.3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 2.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 50.6nC @ 8V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2426pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 680mW (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SC-59

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : DMN1 , DMN101

Dokumente für DMN1019USN-7

Datenblätter : DMN1019USN-7.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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C0805C154KMREC	KEMET	CAP CER 0805 150NF 63V X7R 10.
TF170279BQ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 25KV R85.