SUD19P06-60-GE3 - MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252

Hersteller Teilenummer

SUD19P06-60-GE3

Interne Teilenummer

AX-SUD19P06-60-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für SUD19P06-60-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SUD19P06-60-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252

Serie : TrenchFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 18.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1710pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252, (D-Pak)

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SUD19 , SUD19P0

Dokumente für SUD19P06-60-GE3

Datenblätter : SUD19P06-60-GE3.pdf

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