PMPB29XPE,115 - MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN

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MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
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Technische Daten für PMPB29XPE,115

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMPB29XPE,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2970pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : DFN2020MD-6
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für PMPB29XPE,115

Datenblätter : PMPB29XPE,115.pdf

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