SQ4153EY-T1_GE3 - MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SQ4153EY-T1_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQ4153EY-T1_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 151nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11000pF @ 6V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 7.1W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOIC
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQ4153EY-T1_GE3
Datenblätter : SQ4153EY-T1_GE3.pdf
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