IRFB59N10DPBF - MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

Hersteller Teilenummer

IRFB59N10DPBF

Interne Teilenummer

AX-IRFB59N10DPBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

187785 Pieces

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Technische Daten für IRFB59N10DPBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRFB59N10DPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 59A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 35.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2450pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 3.8W (Ta), 200W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220AB

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IRFB , IRFB59

Dokumente für IRFB59N10DPBF

Datenblätter : IRFB59N10DPBF.pdf

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