FCD1300N80Z - MOSFET N-CH 800V 4A TO252

Hersteller Teilenummer

FCD1300N80Z

Interne Teilenummer

AX-FCD1300N80Z

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 800V 4A TO252

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für FCD1300N80Z

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCD1300N80Z

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 4A TO252

Serie : SuperFET® II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.3 Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 400µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 100V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 52W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DPAK

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FCD1300N80Z

Datenblätter : FCD1300N80Z.pdf

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