NVMFS5H663NLT1G - T8 60V LOW COSS

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Hersteller
Kurze Beschreibung
T8 60V LOW COSS
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für NVMFS5H663NLT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : NVMFS5H663NLT1G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : T8 60V LOW COSS
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 16.2A (Ta), 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 56µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1131pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / fall : 8-PowerTDFN, 5 Leads
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für NVMFS5H663NLT1G

Datenblätter : NVMFS5H663NLT1G.pdf

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