SQD10N30-330H_GE3 - MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
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MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
RoHS-Status
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Technische Daten für SQD10N30-330H_GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SQD10N30-330H_GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 330 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2190pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 107W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-252AA
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SQD10N30-330H_GE3
Datenblätter : SQD10N30-330H_GE3.pdf
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