IXTH6N100D2 - MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXTH6N100D2
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
74215 Pieces
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Technische Daten für IXTH6N100D2
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXTH6N100D2
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
95nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2650pF @ 25V
FET-Funktion :
Depletion Mode
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247 (IXTH)
Paket / fall :
TO-247-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXTH6N100D2
Datenblätter :
IXTH6N100D2.pdf
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