DN3765K4-G - MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

Hersteller Teilenummer

DN3765K4-G

Interne Teilenummer

AX-DN3765K4-G

Hersteller

Microchip Technology

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

205320 Pieces

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Technische Daten für DN3765K4-G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : DN3765K4-G

Hersteller : Microchip Technology

Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 300MA 3DPAK

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 150mA, 0V

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 825pF @ 25V

FET-Funktion : Depletion Mode

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-252-3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für DN3765K4-G

Datenblätter : DN3765K4-G.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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CDR31BP100BJZRAB	Vishay Vitramon	CAP CER 10PF 100V BP 0805.