IRF7453PBF - MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC

Hersteller Teilenummer

IRF7453PBF

Interne Teilenummer

AX-IRF7453PBF

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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verfügbare Anzahl

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Technische Daten für IRF7453PBF

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IRF7453PBF

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC

Serie : HEXFET®

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 230 mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 930pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.5W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für IRF7453PBF

Datenblätter : IRF7453PBF.pdf

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