MVB50P03HDLT4G - INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller Teilenummer
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INTEGRATED CIRCUIT
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Technische Daten für MVB50P03HDLT4G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MVB50P03HDLT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : INTEGRATED CIRCUIT
Serie : Automotive, AEC-Q101
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 5V
Vgs (Max) : ±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4.9nF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : D2PAK-3
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : MVB5 , MVB50P0

Dokumente für MVB50P03HDLT4G

Datenblätter : MVB50P03HDLT4G.pdf

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