DMN33D8LT-13 - MOSFET N-CH 30V 0.115A

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MOSFET N-CH 30V 0.115A
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Technische Daten für DMN33D8LT-13

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN33D8LT-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 0.115A
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 115mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.55nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 48pF @ 5V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 240mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-523
Paket / fall : SOT-523
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für DMN33D8LT-13

Datenblätter : DMN33D8LT-13.pdf

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