APTM60H23FT1G - MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

Hersteller Teilenummer

APTM60H23FT1G

Interne Teilenummer

AX-APTM60H23FT1G

Hersteller

Microsemi Corporation

Kurze Beschreibung

MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

20088 Pieces

Referenzpreis

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Technische Daten für APTM60H23FT1G

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : APTM60H23FT1G

Hersteller : Microsemi Corporation

Beschreibung : MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : 4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion : Standard

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 276 mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5316pF @ 25V

Leistung max : 208W

Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Chassis Mount

Paket / fall : SP1

Supplier Device Package : SP1

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : APTM60H23FT1G.pdf

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