ZXM66P02N8TC - MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Hersteller Teilenummer

ZXM66P02N8TC

Interne Teilenummer

AX-ZXM66P02N8TC

Hersteller

Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

50946 Pieces

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Technische Daten für ZXM66P02N8TC

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : ZXM66P02N8TC

Hersteller : Diodes Incorporated

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43.3nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2068pF @ 15V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.56W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SO

Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : ZXM6 , ZXM66P

Dokumente für ZXM66P02N8TC

Datenblätter : ZXM66P02N8TC.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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