MSRT200120(A)D - DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
9552 Pieces
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Technische Daten für MSRT200120(A)D
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
MSRT200120(A)D
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodenkonfiguration :
1 Pair Series Connection
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) :
200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 200A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 1200V
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Three Tower
Supplier Device Package :
Three Tower
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für MSRT200120(A)D
Datenblätter :
MSRT200120(A)D.pdf
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