IS42S32160F-6BLI - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IS42S32160F-6BLI
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IS42S32160F-6BLI
Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM
Speichergröße : 512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz : 167MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 5.4ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-TFBGA
Supplier Device Package : 90-TFBGA (8x13)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IS42S32160F-6BLI
Datenblätter : IS42S32160F-6BLI.pdf
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